1협의체 소개
- 서울대학교 반도체공동연구소는 반도체 기초연구와 고급 인재양성을 목적으로 대한민국 최초의 연구 장비 공동 활용을 위한 연구시설로 1988년 개소
- 설립목적 및 기능
- 반도체 분야의 전국대학 기초 연구를 위한 인프라 제공
- 학부과정과 석·박사 과정 학생들을 위한 실습교육
- 산업체 위탁교육 및 산·학·연 공동 연구
- 벤처보육
- 서울대학교 반도체공동연구소는 30여 년간 기업체 인원 4천9백여 명 포함 총 1만7천여 명의 교육생 배출과 연간 2만3천여 건 이상의 장비를 공동 활용하며 최고 수준의 교육 및 연구역량과 연구시설의 운영 노하우 보유
연구
('89~'20년)교육
('89~'20년)장비활용
('01~'20년)벤처보육
('89~'20년)- 연구과제 3,351건(약3,212억원)
- 논문(3,475건)
- 특허(758건)
- 석사(1,158명)
- 박사(659명)
- 공정장비 연구원(743명)
- 공정 교육생(16,895명*)
- 기업체 4,902명 포함
- 456,803건(연 2만3천건 이상) 전국대학, 연구소, 기업체 대상
- 실리콘이미지 외 28개사
- 미래지향적 융합연구 및 교육을 강화하기 위하여 나노융합 인력양성센터 구축 및 연구시설 리모델링 등 반도체공동연구소의 고도화사업을 진행 중
2구성·조직(시설현황 등) 구성·조직
시설현황
5개의 연구센터, 48개의 참여 연구실, 장비 전담 운영인력, 행정인력으로 구성
- 본관(104동)
- 지하1층, 지상 2층 철근 콘크리트 연와조
- 연건평 : 1,402평(4,634 m2)
- 청정실(Fab.) 1·2층 총평수 583평(1,928 m2)
- 측정분석실(L1, L2, L3), Facility동(886 m2)
- 독성가스 모니터링 시스템 구축 , 청정실 온·습도 및 공조 자동시스템 구축
- 연구실, 회의실, 세미나실, 벤처창업공간 등
- 설계연구관(104-1동)
- 지상5층 철근 콘크리트 연와조
- 연건평 : 1,711평(5,655 m2)
- 디스플레이센터(4·5층)
- 차세대회로설계센터
- 내장형시스템연구센터
- 뉴럴프로세싱연구센터
- 설계측정실, 도연홀(국제회의실), 휴게공간 등
3지원분야(지원범위, 지원시설)
서울대학교 반도체공동연구소에서는 연구자들의 다양한 기술 응용 및 개발을 위한 표준공정 제공과 연구소에 갖추어진 반도체 연구 인프라를 통한 공정서비스, 반도체 설계 및 각종 공정관련 시뮬레이션 업무 수행이 가능한 설계환경지원, 반도체 연구와 관련한 재료의 유상공급 서비스 제공
연구 지원 분야- Si Device & Process Technologies
- MEMS & Nano-devices
- Compound Semiconductor
- Integrated Circuits & Systems
- Systems Designs & Design Automation
- Display Technologies & Photonics
- Biomedical Micro/Nano Device
- Nano Materials, Devices & Physics
4지원절차(서비스 이용 방법 등) 직접 공정
- 입소 안전교육 및 생활지침교육을 이수한 입소자 중 장비사용자 교육 후 테스트를 거쳐 장비사용자 권한(USER)을 획득하면 장비의 직접 사용이 가능합니다.
- 장비사용자 교육은 연구소 홈페이지를 통해 신청 가능
연구소 홈페이지를 통해 공정을 위탁하여 의뢰하시면 연구소 전담 인력이 공정 서비스 진행
연구소 공정서비스 절차
5보유 연구시설 장비
포토리소그래피, 산화/확산 및 이온주입, 금속증착기, 화학기상증착기, 건식식각기, CMP, 측정 및 분석, 설계장비 등 공동 활용 장비 133점 약 293억 원의 연구장비를 365일 24시간 개방하여 운영 중
대표 연구시설·장비-
Stepper- 주요 사양 및 성능
- PR(i-line용) : TDMR-AR87
- 파장 : λ=365 nm
- 배율 : 5:1 축소
- reticle : 5" mask
- 적산 노광량 : 600 mW/cm2 or more
- 공정조건
- HMDS Hot plate on vapor (110℃)
- PR coating : Track (10000 Å)
- Soft bake : Track (Hot plate 88℃, 90sec)
- Exposure : 400 mJ/min
- PEB : Track (Hot plate 88℃, 60sec)
- Develop : AZ300
- Rinse : D·I water
- Hard bake : Track (Hot plate 110℃, 90sec)
- 모델명(제조사) : NSR-2005i10C (Nikon)
- 주요 사양 및 성능
-
Medium Ion Implanter- 주요 사양 및 성능
- Dopant : B+, BF2+, As+, P+, Ar
- Energy range : 5 ~ 200 keV
- Maximum beam current
- As+, P+ : 1 mA
- B+, BF2+ : 0.6 mA
- Implant dose range
- As+ : 1E11 ~ 1E16 ions/cm2
- P+ : 1E11 ~ 1E16 ions/cm2
- BF2+ : 1E11 ~ 1E16 ions/cm2
- B+ : 1E11 ~ 5E15 ions/cm2
- Ar : 1E11 ~ 1E16 ions/cm2
- Uniformity < ±3%
- Tilt : 0° ~ 90° ±1°
- Twist : 0° ~ 360°±1.8°
- 모델명(제조사) : E220 (Applied Materials)
- 주요 사양 및 성능
-
Maskless Parttern System- 주요 사양 및 성능
- Maximum exposure area 200×200 mm
- Reduced projection magnification ×27.36
- Minimum pixel size 0.5 μm
- Resolution 0.5μm (Positive PR : t ≦ 0.5 μm)
- Exposure area for each shot
- 0.512 (Horizontal)×0.384 (Vertical) mm
- Light source LD (Laser)
- Wave length 405 nm
- Output Power 10W(LD)
- Dose power 30 W／cm2 or higher(LD)
- Maximum throughput 250 mm2 /min or faster (@50 mJ/ cm2)
- Repeat positioning accuracy ±0.1 μm (built-in linear encoder)
- 모델명(제조사) : DL-1000HP (Nano System Solutions)
- 주요 사양 및 성능
-
Deep Si Etcher- 주요 사양 및 성능
- pump
- Dry Pump Leybold 100P 800 ℓ/min
- Turbo Pump Leybold 1000C 1000 ℓ/sec
- RF Generator
- Coil : RFPP 1000 W (13.56MHz)
- Planten : RFPP 555 W (13.56MHz)
- gas
- C4F8 : 200 sccm
- Ar : 100 sccm
- SF6 : 200 sccm
- O2 : 100 sccm
- Process Recipe
- Bos – 535
- Polymer dep. – Polymer etch – Si etch
- pump
- 모델명(제조사) : SLR-770-10R-B (Plasma-Therm)
- 주요 사양 및 성능
6기업 대상 안내 가능한 지원 항목
- 반도체 소자 및 소부장 센서(CMOS, MEMS, Bio 등) 반도체 기반 미세 단위공정 기술개발 및 장비 공동활용 지원 (4&6인치)
- 중소 벤쳐기업 4&6인치 시제품(소자) 제작 지원(공정 컨설팅 및 일괄공정)
7담당자정보
-
- 연구 책임자
이종호
- E-mail
jhlee@snu.ac.kr
- Tel
02-880-5440
- 연구 책임자
-
- 실무 담당자
최용윤
- E-mail
yyy2k@snu.ac.kr
- Tel
02-880-5445
- 실무 담당자
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