나노소재·재료 및 응용분야를 대상으로 장비 및 설비를 지원함으로써 연구개발, 기술사업화, 전문인력 양성 등을 지원하여 나노기술의 미래가치를 실현

• 산학연을 위한 시설·장비 공동활용 및 연구·기술개발 지원
• 산업화 공정(양산공정, 시험생산 및 성능평가)을 통한 기업의 상용화 지원
• 핵심 분야 : 전력반도체 소자, MEMS/NEMS 소자, OLED 디스플레이 소자 등

2부 7팀 전문인력 62명으로 구성

• 첨단 시설 및 장비의 산·학·연 공동활용 및 소자공정·특성평가 장비서비스
• 차세대 반도체 (Si, SiC, GaN 전력반도체 등) 분야 단위·요소·일괄공정 기술개발
• 차세대 디스플레이 분야(OLED 등) 공정기술 개발
• 나소원천·융합소재 나노단위 3차원 입체분석 기술 개발
• 차세대 반도체 (Si, SiC, GaN 전력반도체, MEMS센서 등) 기술사업화 지원 및 나노기술 응용제품 일괄제조공정 지원
• 나노융합 및 반도체 분야 전문인력양성(특성화고교생, 대학(원)생, 재직자 대상)
• 무한상상실 운영(실험·공방형, 아이디어클럽형, 스토리텔링형)

• 홈페이지(www.nano.or.kr)에서 회원가입 및 로그인
• 장비이용 신청 → 장비서비스 이용
• 방문 전 건물 및 클린룸 출입 승인 필요

• 장비서비스 이용 후 담당자가 이메일로 이용료 납부 안내

Fab I 및 Fab II(class 10-1000의 클린룸 보유)에 반도체/MEMS 133대, 디스플레이 11대, 특성평가 29대 등 첨단장비 보유

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  UHV-CVD

  • 주요 사양 및 성능
    • Base Pressure < 5E-9Torr
    • Gas : Si₂H₆, GeH₄, CH₃SiH₃, 0.5%B₂H₆/He, 0.5%PH₃/He
    • Thickness Uniformity < 3.0% (1sigma)
    • Process Temp.: 300 ~ 750℃
    • RF Power: 600 W (13.56 MHz)
    • Selective SiGe Epitaxial
    • Uniform Ge Concentration
  • 모델명(제조사) : EUREKA 2000 (주성Eng)
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  E-Beam Lithography

  • 주요 사양 및 성능
    • Emitter : ZrO/W
    • Acceleration Vltage : 25 kV, 50 kV, 75 kV, 100 kV
    • Minimum linewidth : 4 nm@100 kV
    • Electron beam current : 5×10^-13 ~ 2×10^-8 A
    • Electron beam diameter : 1.8 nm @100 kV
    • Work size : Piece ~8” diameter
  • 모델명(제조사) : ELS7000 (ELIONIX)
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  TEM(Transmission Electron Microscopy)

  • 주요 사양 및 성능

    Cs-Corrected [S]TEM

    • Gun Type: ZrO/W(Thermal FE)
    • Acceleration Voltage: 200 KeV
    • Resolution : 0.102 nm TEM 0.096 nm STEM
    • EELS Resolution : 0.5 eV
    • EDS Resolution : 136 eV
    • Image Cs-Corrector(TEM) & Probe CsCrorrector(STEM)
    • Image Cs-Corrector: Atomic Resolution Imaging
    • In-Column Omega Filter(spherical abberation~ Zero) : Energy Filtered TEM, Elemental Mapping(EELS)
    • Probe Cs-Corrector: STEM-HAADF ~ 0.096 nm STEM-BF ~ 0.14 nm
  • 모델명(제조사) : JEM-2100F/JEM-2200FS
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  FIB(Focused Ion Beam)

  • 주요 사양 및 성능

    Dual Beam FIB

    • SEM Electron Optics
      • Schottky Field Electron Gun
      • Acc. Voltage: 350 V ~ 30 kV
      • Beam Current: 1 pA ~ 22 nA
      • Resolution : 1 nm at 15 kV
    • Ion Beam Optics
      • Galium Liquid Metal Ion Sourc
      • Acc. Voltage: 500 V ~ 30 kV
      • Beam Current: 1.5 pA ~ 20 nA
      • Resolution : 5 nm at 30 kV
    • Stage
      • XY: 150mm, Z: 10mm
      • Tilt: -10° to +60°

    EBSD-Quantax (CrystAlign 400)

    • Max image resolution : 1600 x 1200 pixels
    • High resolution EBSD detector
    • ARGUS FSE/BSE detector
    • Horizontal TKD Phosphor screen
  • 모델명(제조사) : FEI Helios Nanolab 600

반도체, 디스플레이 분야 제조공정 및 측정분석 장비 서비스

• • 연구 책임자

    강민식

  • E-mail

    mskang21x@gmail.com

  • Tel

    054-279-0217

• • 실무 담당자

    한동희

  • E-mail

    handonghi@postech.ac.kr

  • Tel

    054-279-0216