1협의체 소개
- 반도체 및 디스플레이 관련, 핵심 소재·부품·장비 분야 연구개발 지원을 위한 클린룸 시설 및 관련 장비가 집적화 되어 있으며, 센터 개소 이래, 10년 이상의 연구개발 지원 역량 및 기술지원 노하우 보유
- 2004년 : 나노기술집적센터구축사업 선정
- 2007년 : 나노기술집적센터 클린룸 준공
- 2009년 : 나노기술집적센터 구축사업 종료
- 2014년 : 나노기술집적센터 활용사업 종료
- 2019년 : 소재·부품·장비 국가연구시설 지정

2구성·조직(시설현황 등)

3지원분야(지원범위, 지원시설)
- 광반도체, OLED, 나노/마이크로 소자 관련 핵심 소재·부품·장비 테스트베드 및 연구개발 지원
- 주력지원 분야 : 5G/6G 초고속 광반도체, OLED 패널, MEMS/NEMS 소자 등
- 반도체, 디스플레이 관련, Si/SiO2 기판 사이즈 (8inch), Glass (200 mm×200 mm) 단위공정 및 일괄공정 지원
- ITO glass (370 mm×470 mm) 증착 및 패터닝 공정 지원

4지원절차(서비스 이용 방법 등)
장비검색
- 광반도체, OLED, 나노/마이크로 소자 관련 핵심 소재·부품·장비 테스트베드 및 연구개발 지원
- 주력지원 분야 : 5G 초고속 광반도체, OLED 패널, MEMS/NEMS 소자 등
- 반도체, 디스플레이 관련, Si/SiO2 기판 사이즈 (8inch), Glass (200 mm×200 mm) 단위공정 및 일괄공정 지원
- ITO glass (370 mm×470 mm) 증착 및 패터닝 공정 지원

공정분야 | 담당자/연락처 |
---|---|
공정총괄 | 김영백 수석연구원 |
kimmoon@kitech.re.kr | |
Deposition/Etching | 정현택 기술원 |
jht8303@kitech.re.kr | |
Photolithography | 박철영 기술원 |
pcy0709@kitech.re.kr | |
Analysis & Measurement | 김수진 연구원 |
ksjhy4@kitech.re.kr | |
2G Deposition & Photolithography | 김영훈 기술원 |
kyh50@kitech.re.kr |
중소기업해피클릭 : https://partner.kitech.re.kr/
5보유 연구시설 장비 클린룸 시설 규모 3,967m2(1200평)
대표 연구시설·장비 (370 mm x 470 mm OLED 공정)
공간구분 | 구성/용도 |
---|---|
Fab. (1.425m2) |
|
CUB. (1.229m2) | 클린룸 지원을 위한 설비 시설(공조/배기) |
여유 공간 (1.243m2) | 제어실, 사무실, 로비 등 |
-
Sputtering system (Sputter + Evaporator)
- 주요 사양 및 성능
- 용도 : 투명/ 메탈 전극 증착
- 샘플 크기 : 370 mm x 470 mm
- 두께 균일도
- Anode : ≤ 5% @150 nm
- Metal : ≤ 5% @100 nm
- 면저항 (ITO) ≤25Ω/ @150 nm
- 투과도 (ITO) ≥90% @550 nm(Film only)
- Evaporator Metal : Effusion cell
- (High Cell : RT ~1400℃, 2ea)
- (Middle Cell : RT ~900℃, 3ea)
- (Thermal Boat, 1ea)
- 주요 사양 및 성능
-
감광액 도포기(Track system)
- 주요 사양 및 성능
- 용도 : 370mm × 470mm 2세대 기판의 PR 패턴형성
- 구성 : PR coater, Developer, Hot/cool plate, EBR unit, HMDS unit
- 현상된 패턴(CD) 균일도 ≤ 3.5%
- Hot plate 온도 균일도 ≤ ± 2℃
- Glass 스핀 모터 RPM 정확도 ≤ ± 3%
- PR 코팅 균일도 ≤ ± 3%
- 주요 사양 및 성능
-
Deep - RIE
- 주요 사양 및 성능
- Cluster 타입의 process module 2개(DSiE/ICP-RIE)
- Etch Depth : 400μm(Si) / 10μm(SiO2)
- Etch rate : >3.5um/min
- Selectivity to PR : >30:1
- Profile (mask >87˚) : 901˚
- Uniformity : ≤±3%
- 주요 사양 및 성능
-
PE - CVD
- 주요 사양 및 성능
- PE-CVD Chamber 3개, Sputter chamber 1개, e-beam 1개
- 샘플크기 : 200 x 200 mm, 8“, 6”
- SiO2, SiN, ITO, Metal 박막 증착
- Thickness Uniformity : ≤ 5%
- SiO2 Refractive Index : ≥ 1.4573 ± 0.032
- Deposition Rate : ≥ 2,500 Å/min
- 주요 사양 및 성능
-
Dual – Beam FIB
- 주요 사양 및 성능
- 모델명 : Quanta 3D FEG
- 용도 : TEM 시편제작 및 소자 불량분석
- Dual Beam type : FIB/SEM
- 샘플 로딩 사이즈 : 50x50 mm
- ION Current : 1.5Pa ~ 65 nA
- Magnification : x30 ~ x150,000
- 주요 사양 및 성능
-
WVTR(수분 투과도 측정)
- 주요 사양 및 성능
- 모델명 : AQUATRAN 3
- 측정샘플: 필름 / 용기
- 센서 Type : 전기분해 방식
- 온도조절 : 10℃ to 85℃
- 측정범위
- 필름:0.000005 to 789 gm/sq.m-day
- 용기:0.00000025 to 0.025 gm/pkg-day
- 주요 사양 및 성능
6기업 대상 안내 가능한 지원 항목
- 반도체·나노/디스플레이/전기전자/바이오 소재〮부품분야 시제품 제작 지원 및 공정 기술 지원
- 반도체·나노/디스플레이/전기전자/바이오 소재〮부품분야 물성 평가 및 시험 분석 지원
7담당자정보
-
- 연구 책임자
김영백
- E-mail
kimmoon@kitech.re.kr
- Tel
062-600-6520
- 연구 책임자
-
- 실무 담당자
김은미
- E-mail
kimeunmi@kitech.re.kr
- Tel
062-600-6570
- 실무 담당자
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